現在のパワー半導体の主流はSiで作製されているが，Siの物性値に起因し，モーター駆動制御時に一定の割合で熱エネルギーが発生し，CO2排出量の増加の原因となる。
モーター駆動用パワー半導体をSiからSiCに置き換えることにより，この熱エネルギーの大幅な削減が可能となり，2030年で1億4000万トン，2050年で2億8000万トンのCO2排出削減効果が見込まれるという。
現在，昇華法で作製されたSiCパワー半導体用基板が社会実装されているが，基板が高価かつ結晶欠陥密度が高いという問題がある。結果としてSiCパワー半導体デバイスが高価かつ低信頼性となり，市場拡大に踏み切れていない。
そこで研究グループは，AI技術を応用したプロセスインフォマティクスを用いて，コンピューター内に実際の結晶成長を疑似的に実現する装置を構築した（デジタルツイン）。これを用いることで，数百万回レベルの試行をコンピューター内で短時間でできるようになり，遺伝的アルゴリズムなどの最適化手法を用いることで，条件を素早く求めることができるようになった。
結果として，3inchから6inchまでの口径拡大を昇華法の10年程度に対して約1年実現し，溶液成長法において世界で初めて6inchの結晶を実現した。さらに，8inch単結晶基板の開発に取り組んでおり，現在，7inch弱の結晶を実現している。