今回、広島大学大学院理学研究科の西原禎文准教授、加藤智佐都博士らを中心とする研究チームは、本来強誘電性が出現しないとされていた単一分子で、強誘電体特有の自発分極と分極ヒステリシス(メモリ効果)を発見した。
今回の発見は、従来の強誘電理論に則った一般的な強誘電体とは発見機構が異なり、単一分子でメモリ効果があることを示す材料となった。研究グループによると、今回の物質をメモリとして実装できれば、既存の1Tbit/平方インチの1,000倍となる、1Pbit/平方インチの記録密度を実現できるとしており、HDDやフラッシュメモリの超小型化などを期待している。
1分子=1bitになるとしても現状の1000倍が限界なのか。磁気メディアの物理的限界は近そう。